紫外納米芯片光刻系統

紫外納米芯片光刻系統，本機統針對各大專(zhuān)院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統。

 公司產(chǎn)品涵蓋金屬材料檢測與非金屬材料檢測，品種達一百多個(gè)。土木工程類(lèi)高校用到的：大型多功能結構試驗系統、巖土工程試驗系統、自平衡反力架、力學(xué)模型試驗系統、電液伺服疲勞系統、高溫高壓應力腐蝕試驗系統、千斤頂檢定裝置等。

一、紫外納米芯片光刻系統主要用途

⒈ 本機針對各大專(zhuān)院校、企業(yè)及科研單位，對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機。

⒉ 由于本機找平機構先進(jìn)，找平力小、使本機不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 ：本機為單面對準、單面曝光。

二、技術(shù)參數

1.曝光時(shí)間調解器：0.1至999.9秒(可調節精度0.1s)；
2.365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環(huán)；
3.聲控功率警報裝置可防止系統功率超過(guò)設定指標；
4.有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
5.全景準直透鏡光線(xiàn)偏差半角:<1.84度；
6.波長(cháng)濾片檢查及安裝裝置；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置；
10.配備蠅眼棱鏡裝置；
11.配備近紫外（或深紫外）光源

12.主要配置：6“，8"光源系統，
13.手動(dòng)系統，半自動(dòng)系統。
14..CCD或顯微鏡對準系統。
15.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um。
16.支持背后對準及MEMS工藝要求。
17.主要性能指標：光強均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。區域，--<±2% over 4"區域，--<±3% over 6"區域。

三、主要構成：主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場(chǎng)顯微鏡顯示系統、曝光頭、氣動(dòng)系統、真空管路系統、直聯(lián)式無(wú)油真空泵、防震工作臺和附件等組成。

四、主要功能特點(diǎn)

1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。

2.結構先進(jìn)：具有半球式找平機構和可實(shí)現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著(zhù)機構。

3.操作簡(jiǎn)便：采用翻板方式取片、放片；按鈕、按鍵方式操作，可實(shí)現真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能，操作、調試、維護、修理都非常簡(jiǎn)便。

4.特設“碎片"處理功能：解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開(kāi)所引起的版片無(wú)法對準的問(wèn)題。